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[속보] 삼성전자, 세계 최초 HBM4 양산 출하	2026-02-12 15:40
양산 시점만 보면 3사중 가장 빨라 경쟁사와 달리 최선단 공정 1c D램 적용 삼성전자가 차세대 고대역폭메모리(HBM) 시장 선점에 나섰다. 삼성전자는 12일 HBM4를 양산 출하했다고 밝혔다. 양산 시점만 놓고보면 메모리 반도체 3사(삼성전자0�SK하 이닉스0醯뗌謙㈆�) 중 가장 빠르다. SK하 이닉스는 지난해 9월 세계 최초로 HBM4 양산체계를 구축했지만, 아직 양산 시점은 확정되지 않았다. 삼성전자는 5세대(1b) D램 기반으로 HBM4를 양산하려는 경쟁사와 달리, 1b를 건너뛴 1c D램 기반 HBM4를 적용했다. 10나노급 D램 공정 기술은 ‘1x(1세대)·1y(2세대)·1z(3세대)·1a(4세대)·1b(5세대)’ 순으로 개발된다. 6세대인 1c 공정은 선폭이 좁아 공정 난도가 높은 대신 용량과 성능 향상폭이 상대적으로 크다. 황상준 삼성전자 메모리개발담당 부사장은 “삼성전자 HBM4는 기존에 검증된 공정을 적용하던 전례를 깨고 1c D램 같은 최선단 공정을 적용했다”며 “공정 경쟁력과 설계 개선을 통해 성능 확장을 위한 여력을 충분히 확보, 고객의 성능 상향 요구를 적기에 충족할 수 있었다”고 말했다. 삼성전자는 자사 HBM4 동작 속도가 11.7Gbps라고 밝혔다. JEDEC(국제반도체 표준협의기구)가 제시하는 표준인 8Gbps를 약 46% 상회하는 수치다. 전작 HBM3E의 최대 핀 속도(9.6Gbps)와 비교해도 약 1.2배 향상됐다. 삼성전자 측은 “최대 13Gbps까지 구현이 가능해 AI 모델 규모가 커질수록 심화되는 데이터 병목을 효과적으로 해소할 것으로 기대된다”고 덧붙였다. [ⓒ 매일경제 & mk.co.kr, 무단전재 및 재배포 금지]

[속보] 삼성전자, 세계 최초 HBM4 양산 출하

2026-02-12 15:40

양산 시점만 보면 3사중 가장 빨라
경쟁사와 달리 최선단 공정 1c D램 적용

삼성전자가 차세대 고대역폭메모리(HBM) 시장 선점에 나섰다.
삼성전자는 12일 HBM4를 양산 출하했다고 밝혔다. 양산 시점만 놓고보면 메모리 반도체 3사(삼성전자0�SK하 이닉스0醯뗌謙㈆�) 중 가장 빠르다. SK하 이닉스는 지난해 9월 세계 최초로 HBM4 양산체계를 구축했지만, 아직 양산 시점은 확정되지 않았다.
삼성전자는 5세대(1b) D램 기반으로 HBM4를 양산하려는 경쟁사와 달리, 1b를 건너뛴 1c D램 기반 HBM4를 적용했다. 10나노급 D램 공정 기술은 ‘1x(1세대)·1y(2세대)·1z(3세대)·1a(4세대)·1b(5세대)’ 순으로 개발된다. 6세대인 1c 공정은 선폭이 좁아 공정 난도가 높은 대신 용량과 성능 향상폭이 상대적으로 크다.
황상준 삼성전자 메모리개발담당 부사장은 “삼성전자 HBM4는 기존에 검증된 공정을 적용하던 전례를 깨고 1c D램 같은 최선단 공정을 적용했다”며 “공정 경쟁력과 설계 개선을 통해 성능 확장을 위한 여력을 충분히 확보, 고객의 성능 상향 요구를 적기에 충족할 수 있었다”고 말했다.
삼성전자는 자사 HBM4 동작 속도가 11.7Gbps라고 밝혔다. JEDEC(국제반도체 표준협의기구)가 제시하는 표준인 8Gbps를 약 46% 상회하는 수치다. 전작 HBM3E의 최대 핀 속도(9.6Gbps)와 비교해도 약 1.2배 향상됐다.
삼성전자 측은 “최대 13Gbps까지 구현이 가능해 AI 모델 규모가 커질수록 심화되는 데이터 병목을 효과적으로 해소할 것으로 기대된다”고 덧붙였다.

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